学生の皆さんへ
”食の支援” 第10弾!

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研究室情報、設備
緊急走行を体験できるVR運転シミュレータの実証実験を開始

姫路市消防局と兵庫県立大学は、緊急走行の事故防止教育を目的として、姫路市消防局職員を対象とした、緊急走行が体験できるVR運転シミュレータの実証実験を行います。令和7年1月20日から23日まで、姫路西消防署に緊急走行が体験 […]

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支部、会の活動
令和6年度県立3大学合同懇親会の開催

令和7年1月11日(土)、ホテル グランドヒル市ヶ谷の芙蓉の間にて開催しました。淡水会、けやき会(看護学部)、姫路工業倶楽部から総勢55名の参加をいただき豪華な懇親会になりました。従来3支部長が挨拶をしていましたが時間の […]

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研究室情報、設備
材料・放射光工学専攻博士後期課程3年生のカシム ホセ メンドサ ペニャさんが2024年11月に姫路市文化コンベンションセンターで開催されたThe 5th UOH–FZU–OMU Joint International Symposium on Photocatalysis, Photofunctional Materials, Photon-Science, Nano-Science & TechnologyでPoster Presentation Awardを受賞しました。

材料・放射光工学専攻博士後期課程3年生のカシム ホセ メンドサ ペニャさんが2024年11月26日~28日に姫路市文化コンベンションセンター アクリエ ひめじで開催されたThe 5th UOH–FZU–OMU Joint […]

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研究室情報、設備
材料・放射光工学専攻博士後期課程1年生の塩木 貴也さんが2024年11月に姫路市文化コンベンションセンター で開催されたThe 5th UOH–FZU–OMU Joint International Symposium on Photocatalysis, Photofunctional Materials, Photon-Science, Nano-Science & TechnologyでExcellent Poster Presentation Awardを受賞しました。

材料・放射光工学専攻博士後期課程1年生の塩木 貴也さんが2024年11月26日~28日に姫路市文化コンベンションセンター アクリエ ひめじで開催されたThe 5th UOH–FZU–OMU Joint Internati […]

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研究室情報、設備
東京都科学技術館において行われた第21回SPring-8産業利用報告会において、材料・放射光工学専攻 博士一回生 徳田一弥さんが最優秀発表賞を受賞しました(2024年9月)

2024年9月10日-11日に東京都科学技術館において行われた第21回SPring-8産業利用報告会において、材料・放射光工学専攻 博士一回生 徳田一弥さんが最優秀発表賞を受賞しました。発表タイトルは「引張その場XRDマ […]

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研究室情報、設備
材料・放射光工学専攻修士1回生の稲村慧さんが令和6年度軽金属若手研究発表会にてベストポスター賞を受賞しました。

材料・放射光工学専攻修士1回生の稲村慧さんが令和6年度軽金属若手研究発表会にてベストポスター賞を受賞しました。発表タイトルは「結晶構造の異なるA1200合金における局所変形領域のin-situ XRD/DIC同時測定」で […]

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研究室情報、設備
材料・放射光工学専攻修士2回生の村上翔太さんが令和6年度にて日本金属学会・日本鉄鋼協会 関西支部優秀賞を受賞しました。

材料・放射光工学専攻修士2回生の村上翔太さんが令和6年度にて日本金属学会・日本鉄鋼協会 関西支部優秀賞を受賞しました。発表タイトルは「In-situ XRD/DIC同時測定を用いたAl-Mg合金のType A+Bセレーシ […]

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企業OB会
【令和6年度 関白会(関西電力・関西電力送配電:企業内グループの会)開催】

令和6年11月15日(金)、大阪市北区中之島のNCB会館[花の間]にて、関白会(関西電力・関西電力送配電:企業内グループの会)を開催しました。 コロナ禍も明け、昨年度に引き続き今年度も開催することができました。 今年度は […]

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研究室情報、設備
西澤弘一郎氏(化学工学専攻 博士後期課程、三菱電機)、松本 歩助教、中川康幸氏(三菱電機)、佐久間 仁氏(三菱電機)、小島善樹氏(三菱電機)、福室直樹准教授、八重真治教授の研究論文「Stress Analysis of the Interface Reaction Layer Between Ni–P Films and GaAs Substrate After Annealing」が電気化学会Electrochemistry誌のEditor’s ChoiceおよびCover Artに選出されました

GaAs半導体デバイスの裏面電極の作製に使用される無電解Ni-Pめっき膜は、GaAsウエハの反りを引き起こす要因とされていますが、その詳細は十分に解明されていません。本論文では、デバイス特性の安定化を目的とした熱処理過程 […]

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