西澤弘一郎氏(化学工学専攻 博士後期課程、三菱電機)、松本 歩助教、中川康幸氏(三菱電機)、佐久間 仁氏(三菱電機)、小島善樹氏(三菱電機)、福室直樹准教授、八重真治教授の研究論文「Stress Analysis of the Interface Reaction Layer Between Ni–P Films and GaAs Substrate After Annealing」が電気化学会Electrochemistry誌のEditor’s ChoiceおよびCover Artに選出されました

GaAs半導体デバイスの裏面電極の作製に使用される無電解Ni-Pめっき膜は、GaAsウエハの反りを引き起こす要因とされていますが、その詳細は十分に解明されていません。本論文では、デバイス特性の安定化を目的とした熱処理過程でGaAsとNi-Pの界面に形成されるNi3GaAs層がウエハの反りに大きく寄与していることを明らかにしました。

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